那么現(xiàn)在我們就來(lái)講解一下金頓高壓軟啟動(dòng)柜和低壓?jiǎn)?dòng)器的區(qū)別有哪些,在這里我們要說(shuō)明的是高壓也就是達(dá)到了一-定的千瓦數(shù)算是高壓，比方說(shuō)3干瓦以上屬于高壓，低壓，未達(dá)到千瓦就屬于低壓了。

高壓軟啟動(dòng)柜主回路采用晶閘管，通過(guò)逐步改變晶閘管的導(dǎo)通角來(lái)抬升電壓，完成啟動(dòng)過(guò)程，這是軟啟動(dòng)器的基本原理。金頓電氣軟起動(dòng)柜在低壓軟啟動(dòng)器市場(chǎng)，產(chǎn)品繁多，但是高壓軟啟動(dòng)器產(chǎn)品還是比較少。

高壓軟啟動(dòng)器與低壓軟啟動(dòng)器基本原理一樣，但是高壓軟啟動(dòng)器與低壓軟啟動(dòng)器相比，有些地方存在著其特殊性:

1、高壓軟啟動(dòng)柜在高壓環(huán)境下工作，各種電氣元器件的絕緣性能一-定要好，電子芯片的抗干擾能力要強(qiáng)。高壓軟起動(dòng)柜組成電氣柜時(shí)，電氣元器件的布局以及與高壓軟啟動(dòng)器與其它電氣設(shè)備的連接也是非常重要的，在這里需要注意的東西還是非常多的。

2、高壓軟啟動(dòng)柜必須有-個(gè)高性能的控制核心，軟啟動(dòng)器 能對(duì)信號(hào)進(jìn)行及時(shí)和快速地處理。因此這個(gè)控制核心- -般采用高性能的DSP芯片，而不是低壓軟啟動(dòng)器的普通單片機(jī)芯。低壓軟啟動(dòng)器主回路由三組反并聯(lián)的晶閘管組成。而在高壓軟啟動(dòng)器中，由于單只高壓晶閘管的耐壓能力不夠,所以必須由多個(gè)高壓晶閘管串聯(lián)進(jìn)行分壓。但是每個(gè)晶閘管的性能參數(shù)沒(méi)有完全-致。軟起動(dòng)柜晶閘管參數(shù)的不一致，會(huì)導(dǎo)致晶閘管開(kāi)通時(shí)間不一-致 ,從而導(dǎo)致晶閘管的損壞。因此在晶閘管的選配上，必須*每-相的晶閘管參數(shù)盡可能地一致， 并且每一相晶閘管的RC濾波電路的元件參數(shù)盡可能一致。

3、高壓軟起動(dòng)柜的工作環(huán)境容易受到各種電磁干擾，因此觸發(fā)信號(hào)的傳遞必須*可靠。高壓軟起動(dòng)器中，傳遞觸發(fā)信號(hào)，- 般采用光纖傳輸，能有效地避免各種電磁干擾。通過(guò)光纖傳遞信號(hào)，也有兩種方式:-種多 光纖方式，- 種單光纖方式。多光纖方式即每塊觸發(fā)板有一-路光纖;單光纖方式即每-相只有一路光纖，信號(hào)傳遞到一-塊主觸發(fā)板，再由主觸發(fā)板傳遞到同- -相的其他觸發(fā)板。由于各路光纖光電傳輸過(guò)程中損耗不盡-致，因此從觸發(fā)一致性上看，單光纖的方式比多光纖可靠。

4、高壓軟啟動(dòng)器對(duì)信號(hào)的檢測(cè)*。高壓軟起動(dòng)器所在的環(huán)境存在著大量的電磁干擾，并且高壓軟啟動(dòng)器所用的真空接觸器和真空斷路器在其分?jǐn)嗪烷]合過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量的電磁干擾。所以對(duì)檢測(cè)到的信號(hào)不僅要進(jìn)行硬件濾波，也要進(jìn)行軟件濾波，去掉干擾信號(hào)。

5、金頓電氣高壓軟啟動(dòng)柜在完成啟動(dòng)過(guò)程后，要切換到旁路運(yùn)行狀態(tài)，如何平滑地切換到運(yùn)行狀態(tài)，這也是軟啟動(dòng)器的一-個(gè)難點(diǎn)，如何選準(zhǔn)旁路點(diǎn)非常重要。旁路點(diǎn)早了，電流沖擊非常大，即使在低壓條件下，也會(huì)造成三相電源中斷路器跳閘,甚至?xí)p壞斷路器。高壓條件下危害更大。旁路點(diǎn)遲了，電機(jī)抖動(dòng)得厲害，影響負(fù)載正常工作。因此，旁路信號(hào)的硬件檢測(cè)電路必須非常*，并且程序處理也要恰到好處。

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